從蒸發源或濺射靶中出來的沉積粒子到達基片表面之后，經過吸附、凝結、表面擴散、遷移、碰撞結合形成穩定晶核。然后再通過吸附使晶核長大成小島，島長大后互相聯結聚集，*形成連續薄膜。在這樣的成膜過程中，蒸發法和濺射法的主要區別是:

對于真空蒸發法，其入射到基片上的氣相原子對基片表面沒有影響，成核條件不發生改變。在蒸發過程中，基片和薄膜表面受殘余氣體分子或原子的轟擊次數較少，大約10的13次/cm²·s。所以雜質氣體摻人到薄膜中的可能性較小。另外，蒸發的氣相原子與殘余氣體很少發生化學反應。基片和薄膜的溫度變化也不顯著。

對于濺射法，入射到基片表面的離子和高能中性粒子對基片表面影響較大，可使基片表面變得比較粗糙、產生離子注入、表面小島暫時帶電以及與殘余氣體分子發生化學反應等。所以成核條件就有明顯變化，成核中心形成過程加快，成核密度顯著提高，工作氣體分子、殘余氣體分子、原子和離子都可對基片表面產生量級為10的17次/cm²·s的轟擊。這顯然比蒸發過程中出現的要大得多。因此雜質氣體或外部材料摻入薄膜的機會較多，在薄膜中容易發生活化或離化等化學反應。另外，由于入射的濺射粒子有較大動能，基片和薄膜的溫度變化也比較顯著。